机译:不同厚度MgB2膜的本征通量钉扎机制
机译:BasnO3中添加Gdba2cu3O7-x膜具有不同厚度的磁通固定机理
机译:不同厚度的晶体SiC缓冲层对$ {rm MgB} _ {2} $薄膜超导性能和助焊剂钉扎机理的影响
机译:通过纳米La2O3掺杂增加MgB2中的磁通钉钉力和临界电流密度
机译:厚度梯度聚合物薄膜的旋涂分析。
机译:Cu(InGa)Se2基薄膜太阳能电池本征ZnO厚度的优化
机译:分子束外延制备的Ti缓冲衬底上MgB2薄膜的通量钉扎特性
机译:YBa2Cu3O(7-x)外延薄膜中取向依赖的临界电流:固有磁通钉扎的证据